| 标准号： |
NF C96-050-25-2016 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 25 : silicon based MEMS fabrication technology - Measurement method of pull-press and shearing strength of micro bonding area |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件综合 |
| 发布日期： |
2016-12-30 |
| 发布单位： |
FR-AFNOR |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2016-12-30 |
| ICS分类： |
半导体材料>>半导体材料 |
| 正文语言： |
法语 |
| 原文名称： |
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs microélectromécaniques - Partie 25 : technologie de fabrication de MEMS à base de silicium - Méthode de mesure de la résistance à la traction-compression et au cisaillement d'une micro zone de brasure |
| 页数： |
27P.;A4 |
| 引用标准： |
CEI 62047-1;ISO 10012 |
| 采用关系： |
EN 62047-25-2016,IDT;CEI 62047-25-2016,IDT |
| 内容提要（EN）： |
Shear tests;Field testing;Tensile testing;Processing;Semiconductor devices;Shear testing;Production;Tensile stress test;Silicon;Electronic engineering;Bodies;Structure;Manufacturing;Measurement;Fabrication;Measuring;Tensile tests;Tensile strength;Compressive strength;Expansion tests;Compression testing;Design;Shear strength |
| 内容提要（QT）： |
MICROELECTRONIQUE;DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR;FABRICATION;SILICIUM;USINAGE;STRUCTURE;JOINT BRASE;MESURAGE;RESISTANCE A LA TRACTION;RESISTANCE A LA COMPRESSION;RESISTANCE AU CISAILLEMENT;ESSAI EN PLACE;ESSAI DE TRACTION;ESSAI DE COMPRESSION;ESSAI DE CISAILLEMENT;Resistance au cisaillement;Resistance a la traction;Resistance a la compression;Electronique |
| 归属： |
法国 |
