| 标准号: |
IEC 62047-2-2006 |
| 英文名称: |
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 2: Tensile testing method of thin film materials |
| 中标分类: |
电子元器件与信息技术>>电子设备机械结构件 |
| 发布日期: |
2006-08 |
| 发布单位: |
IX-IEC |
| 标准状态: |
请与本站工作人员进行确认 |
| ICS分类: |
半导体器件综合>>半导体器件综合 |
| 起草单位/标准公告: |
IEC/TC 47 |
| 正文语言: |
英语 |
| 原文名称: |
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs microélectromécaniques – Partie 2: Méthode d'essai de traction des matériaux en couche mince (Edition 1.0) |
| 页数: |
25P;A4 |
| 附注: |
History:IEC 62047-2 (2006-08);IEC 47/1865/FDIS (2006-05);IEC 47/1812/CDV (2005-03) |
| 被代替标准: |
IEC 47/1865/FDIS-2006 |
| 引用标准: |
ISO 6892-1998 |
| 采用关系: |
DIN EN 62047-2-2007,IDT;BS EN 62047-2-2006,IDT;EN 62047-2-2006,IDT;NF C96-050-2-2006,IDT;JIS C 5630-2-2009,IDT;OEVE/OENORM EN 62047-2-2007,IDT;PN-EN 62047-2-2006,IDT |
| 内容提要(CN): |
组件;材料;微电子学;微系统技术;特性;试样;半导体器件;规范(验收);符号;系统工程;拉伸应变;抗拉试验;试验;试验条件;试验装置;薄膜技术 |
| 内容提要(EN): |
Components;Materials;Microelectronics;Microsystem techniques;Properties;Samples;Semiconductor devices;Specification (approval);Symbols;System engineering;Tensile strain;Tensile testing;Testing;Testing conditions;Testing devices;Thin films;Thin-film technology |
| 内容提要(QT): |
Anforderung;Bauteil;Dünnschicht;Dünnschichttechnik;Eigenschaft;Halbleiterbauelement;Mikroelektronik;Mikrosystemtechnik;Probe;Prüfbedingung;Prüfeinrichtung;Prüfung;Prüfverfahren;Symbol;Systemtechnik;Werkstoff;Zugbeanspruchung;Zugversuch |
| 归属: |
国际 |