| 标准号： |
YS/T 679-2008(2015) |
| 英文名称： |
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| 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料综合 |
| 发布日期： |
20080901 |
| 发布单位： |
CN-GB |
| 标准状态： |
作废 |
| 实施日期： |
2008 |
| ICS分类： |
半导体材料>>半导体材料 |
| 正文语言： |
汉语 |
| 页数： |
15 |
| 附注： |
工信部公告2015年第27号 |
| 代替标准： |
被YS/T 679-2018代替 |
| 被代替标准： |
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| 引用标准： |
GB/T 1552,GB/T 1553,GB/T 6616,GB/T 6618,GB/T 11446.1,GB/T 14264,GB/T 14847 |
| 采用关系： |
SEMI MF391-1106,MOD |
| 内容提要（CN）： |
本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。
本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化稼(同时调整相应的光照波长(能量)范围和样品的制备工艺)上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。
本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定，但已经成功的对电阻率(0.1～50)Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的p 91 |
| 归属： |
中国 |
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