| 标准分类 Standards |
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| 中文名称：测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火标准指南 |
| 标准号:ASTM F980-2016 |
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| 标准号： |
ASTM F980-2016 |
| 英文名称： |
Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices |
| 中标分类： |
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| 发布日期： |
2016 |
| 发布单位： |
US-ASTM |
| 标准状态： |
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| ICS分类： |
半导体材料>>半导体材料 |
| 起草单位/标准公告： |
F01.11 |
| ***： |
Guid |
| 页数： |
7P.;A4 |
| 内容提要（EN）： |
annealing factor; annealing function; displacement damage; integrated circuits; neutron damage; neutron degradation; photoconducting device; rapid annealing; semiconductor devices ; |
| 归属： |
美国 |
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