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金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006); German version EN 62373:2006
参考页数：14P.;A4
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空白详细规范:光电晶体管、光电复合晶体管、光电晶体管阵列
Blank detail specification - Phototransistors, photodarlington transistors, phototransistor arrays; German version EN 120003:1992
参考页数：18P.;A4
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晶体管的测量方法
Measuring methods for transistors
参考页数：81P;A4
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金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET).
参考页数：15P.;A4
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电子元器件详细规范 3DG3130 型高频放大环境额定双极型晶体管(可供认证用
价格：￥0.00
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电子元器件详细规范 3DG140型高频放大环境额定双极型晶体管(可供认证用)
价格：￥0.00
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电子元器件详细规范 3DG182型高频放大环境额定双极型晶体管(可供认证用)
价格：￥0.00
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电子元器件详细规范 3DG162型高频放大环境额定双极型晶体管(可供认证用)
价格：￥0.00
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半导体分立器件外形尺寸
Dimensions of outlines for semiconductor discrete devices
价格：￥0.00
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