| 标准号： |
BS IEC 60747-8-4-2004 |
| 英文名称： |
Discrete semiconductor devices - Metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体集成电路 |
| 发布日期： |
2004-11-09 |
| 发布单位： |
GB-BSI |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2004-11-09 |
| ICS分类： |
三极管>>三极管 |
| 起草单位/标准公告： |
BSI |
| 正文语言： |
英语 |
| 页数： |
64P.;A4 |
| 采用关系： |
IEC 60747-8-4-2004,IDT |
| 内容提要（CN）： |
电子设备及元件;断路器;验收;半导体;漏电流;金属氧化物半导体;场效应晶体管;详细规范;晶体管;半导体器件;元部件;金属氧化物;氧化物覆层;极限(数学);机械性能;级;分立器件;符号;电子工程;试验;规范(验收);特性;电气工程;检验;可靠度;测量;测量技术;定义;型式;额定值;组装件 |
| 内容提要（EN）： |
Acceptance;Assemblies;Circuit-breakers;Class;Components;Definition;Definitions;Detail specification;Discrete devices;Drain current;Electrical engineering;Electronic engineering;Electronic equipment and components;Field-effect transistors;Inspection;Limits (mathematics);Measurement;Measuring techniques;Mechanical properties;Metal oxide semiconductors;Metallic oxides;Oxide coatings;Properties;Ratings;Reliability;Semiconductor devices;Semiconductors;Specification (approval);Symbols;Testing;Transistors;Types |
| 归属： |
英国 |
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