| 标准号： |
IEC 60747-7-2010 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体二极管 |
| 发布日期： |
2010-12 |
| 发布单位： |
IX-IEC |
| 标准状态： |
请与本站工作人员进行确认 |
| 实施日期： |
2010-12 |
| ICS分类： |
三极管>>三极管 |
| 起草单位/标准公告： |
IEC/SC 47E |
| 正文语言： |
双语(英,法) |
| 原文名称： |
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs discrets – Partie 7: Transistors bipolaires (Edition 3.0) |
| 页数： |
214P.;A4 |
| 附注： |
History:IEC 60747-7 (2010-12);IEC 47E/404/FDIS (2010-09);IEC 47E/364/CDV (2008-05);IEC 47E/324/CD (2007-04);IEC 60747-7-5 (2005-08);IEC 47E/279/FDIS (2005-04);IEC 47E/252/CDV (2004-01);IEC 60747-7 (2000-12);IEC 47E/150/FDIS (2000-03);IEC 47E/36/CDV (1996-01);IEC 60747-7 AMD 2 (1994-07);IEC/DIS 47(CO)1335 (1992-06);IEC 60747-7 AMD 1 (1991-05);IEC 60747-7 (1988) |
| 被代替标准： |
IEC 47E/404/FDIS-2010;IEC 60747-7-2000 |
| 引用标准： |
IEC 60050-521-2002;IEC 60747-1-2006;IEC 60747-4-2007 |
| 采用关系： |
BS IEC 60747-7-2011,IDT |
| 内容提要（CN）： |
验收;验收检验;验收试验;双极;双极晶体管;组件;定义(术语);分立式;分立器件;电气工程;电子工程;电子设备及元件;高频;检验;集成电路;布置;寿命;极限(数学);低频;低频工程;作标记;测量;测量技术;微波晶体管;操作时间;功率晶体管;特性;射频;射频设备;标准参考测量方法;基准方法;可靠度;半导体器件;半导体;开关晶体管;符号;试验;晶体管;电压 |
| 内容提要（EN）： |
Acceptance;Acceptance inspection;Acceptance tests;Bipolar;Bipolar transistors;Components;Definitions;Discrete;Discrete devices;Electrical engineering;Electronic engineering;Electronic equipment and components;High frequencies;Inspection;Integrated circuits;Layout;Life (durability);Limits (mathematics);Low frequencies;Low-frequency engineering;Marking;Measurement;Measuring techniques;Microwave transistors;Operating time;Power transistors;Properties;Radiofrequencies;Radiofrequency apparatus;Reference measuring methods;Reference methods;Reliability;Semiconductor devices;Semiconductors;Switching transistors;Symbols;Testing;Transistors;Voltage |
| 内容提要（QT）： |
Abnahmeprüfung;Annahme;Annahmeprüfung;Anordnung;Bauelement;Begriffe;bipolar;Bipolartransistor;Definition;diskret;Eigenschaft;Einzelbauelement;Elektronik;elektronisches Bauelement;Elektrotechnik;Grenzwert;Halbleiter;Halbleiterbauelement;HF-Technik;Hochfrequenz;Hochfrequenzger？t;integrierte Schaltung;Kennzeichnung;Kurzzeichen;Lebensdauer;Leistungstransistor;Messung;Messverfahren;Mikrowellentransistor;NF-Technik;Niederfrequenz;Prüfung;Prüfverfahren;Qualit？tsprüfung;Referenzmessverfahren;Referenzverfahren;Schalttransistor;Schaltzeit;Spannung;Symbol;Transistor;Zuverl？ssigkeit |
| 归属： |
国际 |
