| 标准号： |
IEC 60747-2-2-1993 |
| 英文名称： |
Semiconductor devices; discrete devices; part 2: rectifier diodes; section 2: blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100 A |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体整流器件 |
| 发布日期： |
1993-09 |
| 发布单位： |
IX-IEC |
| 标准状态： |
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| ICS分类： |
二极管>>二极管 |
| 起草单位/标准公告： |
IEC/TC 47 |
| 正文语言： |
英语 |
| 原文名称： |
Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 2: Gleichrichterdioden; Hauptabschnitt 2: Vordruck für Bauartspezifikationen für Gleichrichterdioden (einschlie？lich Avalanche Gleichrichterdioden), umgebungs- und geh？usebezogen für Str？me über 100 A |
| 页数： |
31P.;A4 |
| 译文语言： |
* |
| 附注： |
History:IEC 60747-2-2 (1993-09);IEC/DIS 47(CO)1279 (1991-10) |
| 被代替标准： |
IEC/DIS 47(CO)1279-1991 |
| 引用标准： |
IEC 60068-2-17-1978;IEC 60191-2-1966;IEC 60747-2-1983;IEC 60747-10-1991;IEC 60747-11-1985;IEC 60749-1984 |
| 采用关系： |
BS QC 750109-1994,IDT;GB/T 16894-1997,IDT;PN-IEC 60747-2-2-2000,IDT |
| 内容提要（CN）： |
Avalanche diodes;Blank forms;Detail specification;Electrical engineering;Electrical properties and phenomena;Enclosures;Environmental condition;Forms;Rating tests;Rectifier diodes;Semiconductor devices;Semiconductor engineering;Testing conditions;Electri |
| 内容提要（EN）： |
Avalanche diodes;Blank forms;Detail specification;Electrical engineering;Electrical properties and phenomena;Enclosures;Environmental condition;Forms;Rating tests;Rectifier diodes;Semiconductor devices;Semiconductor engineering;Testing conditions |
| 内容提要（QT）： |
Avalanchediode;Bauartnorm;Bauartspezifikation;elektrische Eigenschaft;Elektrotechnik;Formular;Geh？use;Gleichrichterdiode;Halbleiterbauelement;Halbleitertechnik;Leistungsprüfung;Prüfbedingung;Umgebungsbedingung;Vordruck |
| 归属： |
国际 |
